SQM120P06-07L_GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SQM120P06-07L_GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.64 |
10+ | $3.266 |
100+ | $2.6757 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263 (D²Pak) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 375W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14280 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
Grundproduktnummer | SQM120 |
SQM120P06-07L_GE3 Einzelheiten PDF [English] | SQM120P06-07L_GE3 PDF - EN.pdf |
RES 0.12 OHM 5% 2W RADIAL
VISHAY 2021+RoHS
RES 0.13 OHM 5% 2W RADIAL
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
VIHSAY TO-263
VISH TO-263
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
VISHAY 2017+RoHS
RES 0.1 OHM 5% 2W RADIAL
VISHAY TO263
RES 0.15 OHM 5% 2W RADIAL
MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
RES 0.11 OHM 5% 2W RADIAL
VISHAY TO263
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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